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高功率新型半導(dǎo)體PCSEL激光器 - 筱曉光子

更新時(shí)間:2023-12-12點(diǎn)擊次數(shù):1270

PCSEL 是激光生產(chǎn)的未來(lái)

PCSEL 是一種新型半導(dǎo)體激光器。他們利用二維光柵結(jié)構(gòu)線性和正交地散射光。這使得 PCSEL 成為一種反饋在平面內(nèi)而光發(fā)射在平面外的激光器,從激光器的頂面發(fā)出。



平面外、正交、表面發(fā)射為激光器提供了巨大的成本優(yōu)勢(shì),因?yàn)樗顾鼈円子诜庋b并集成到 PCB 和電子組件中。我們的 2D 光柵結(jié)構(gòu)(光子晶體)啟用并穩(wěn)定平面外發(fā)射,從而產(chǎn)生反饋和單模發(fā)射。與同等的 EEL 或 VCSEL 相比,PCSEL 結(jié)構(gòu)在數(shù)據(jù)速率、波長(zhǎng)和功率性能方面具有優(yōu)勢(shì)。



  我們提供的的 PCSEL 成本低、產(chǎn)量高結(jié)構(gòu)堅(jiān)固,波長(zhǎng)范圍廣且功率高。    
  “我們的 PCSEL 具有 EEL 和VCSEL的速度性能,而它們的測(cè)試和封裝成本是EEL的 50%,并且它們提供的功率是 VCSEL 的10倍以上。"    
  與FP,DFB等半導(dǎo)體激光器相比PCSEL 是使用面內(nèi)反饋和面外表面發(fā)射的激光器。與 VCSEL 一樣,測(cè)試和封裝仍然更便宜,但與同等尺寸的 EEL 或 VCSEL 相比,PCSEL 結(jié)構(gòu)在數(shù)據(jù)速率、波長(zhǎng)和功率性能方面具有優(yōu)勢(shì)。


激光對(duì)比圖




激光特性對(duì)比圖





高功率PCSEL激光器窄發(fā)散角演示視頻




PCSEL —— 低成本、高速度和功率 —— 三合一!

PCSEL 擁有一切!它們以低成本提供高速和強(qiáng)大的功能。當(dāng)前所有其他激光技術(shù)僅在一個(gè)設(shè)備中提供這三個(gè)關(guān)鍵特性中的兩個(gè)。


VCSEL(垂直腔面發(fā)射激光器)以功率為代價(jià)換取低成本和高速。 EEL(邊緣發(fā)射激光器),包括 FP(法布里-珀羅)和 DFB(分布式反饋)激光器,速度快,功率大,但制造成本高。


PPCSEL 與 VCSEL 相比具有以下優(yōu)點(diǎn):

它們不使用 Bragg 堆疊結(jié)構(gòu),如 VCSEL(或者實(shí)際上是 Facet 涂層,如 DFB),而是使用易于縮放的 2D 光柵。它們具有低接觸電阻,確保任何尺寸的激光器的最高功率輸出。它們可以用任何材料制成,因此適用于各種波長(zhǎng)和應(yīng)用。它們的功率是單模的,會(huì)隨著面積按比例增加,通過(guò)它們的 2D 結(jié)構(gòu)和面內(nèi)反饋很容易實(shí)現(xiàn)。它們沒(méi)有 VCSEL 使用的氧化物孔徑,因此在制造時(shí)不需要專門的氧化爐.PCSEL 還具有其他優(yōu)勢(shì)。它們從頂面發(fā)光,如 VCSEL,使它們易于封裝并集成到 PCB 和電子組件中。它們的制造方式也與 EEL 類似,我們的PCSEL可以在任何波長(zhǎng)下制造,因此可用于解決廣泛的應(yīng)用。目前我們制備了450/940nm PCSEL可以支持有償送樣測(cè)試。


此外我們的PCSEL允許多GB調(diào)制速率,具有巨大的數(shù)據(jù)速度優(yōu)勢(shì)實(shí)現(xiàn)高速, 1310nm 數(shù)據(jù)通信和1550nm 電信波長(zhǎng),必須通過(guò)減小尺寸來(lái)最小化半導(dǎo)體器件的模式體積。EEL具有較大的模式長(zhǎng)度和較小的模式高度。VCSEL 的模式長(zhǎng)度較小,但模式高度相對(duì)較大,因?yàn)槟J綍?huì)穿透布拉格堆棧。因此,盡管 VCSEL 可以實(shí)現(xiàn)高速度并且可以經(jīng)濟(jì)高效地生產(chǎn),但其有限的單模性能使其不適用于高速數(shù)據(jù)通信和長(zhǎng)途電信。這些限制也限制了它們?cè)谙鄬?duì)較短距離的傳感應(yīng)用中的使用。


PCSEL 具有類似于 VCSEL 的模式寬度和長(zhǎng)度,但具有 EEL 的模式高度。這意味著對(duì)于 VCSEL 的等效發(fā)射面積,PCSEL 的速度可以比 VCSEL 快 2.5 倍,比高速 EEL 快 3 倍。


鑒于我們實(shí)驗(yàn)室RF信號(hào)發(fā)生器帶寬的限制(20G)屆時(shí)來(lái)我們實(shí)驗(yàn)室只能展示到最大20G的調(diào)制速度。


如下是我們將會(huì)在7月慕尼黑光電展(Booth# 8.1F-214)帶來(lái)的940nm PCSEL產(chǎn)品:




在以倒置配置安裝在封裝上的器件中,輸出光束從基板側(cè)發(fā)射。從 I-L 特性來(lái)看,10W 的輸出功率具有 0.8W/A 的高斜率效率。已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了 0.1 度的非常窄的光束發(fā)散角(參考下面演示視頻):





   



高功率窄發(fā)散角演示視頻


 


詳細(xì)特性如下所示。該器件在 -40 至 100°C 范圍內(nèi)成功運(yùn)行(請(qǐng)注意,測(cè)量溫度范圍受測(cè)量系統(tǒng)限制),固定電流注入下輸出功率的溫度依賴性平均為 -0.36%/°C,具有可比性(甚至優(yōu)于)法布里-珀羅半導(dǎo)體激光器。

激光光譜的溫度依賴性表明,在 -40 至 100°C 范圍內(nèi)可獲得全單模振蕩。激光波長(zhǎng)的溫度依賴性小至 0.08nm/°C,優(yōu)于 FP-LD。可以通過(guò)串聯(lián)引入三元件陣列來(lái)提高斜率效率。


 
             



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