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  • P97M30T2-A950-1650nm 單元InGaAs探測(cè)器 二級(jí)TEC 感光Φ3000um

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    更新時(shí)間:2025-08-30
    產(chǎn)品型號(hào):P97M30T2-A
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    更新時(shí)間:2024-12-06
    產(chǎn)品型號(hào):SBD-2G-A
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  • 50Gbps56Gbaud APD Chip(銦鎵砷)

    50Gbps56Gbaud APD Chip(銦鎵砷) InGaAs雪崩光電二極管(APD)芯片

    更新時(shí)間:2025-10-29
    產(chǎn)品型號(hào):
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  • 10Gbps InGaAs APD Chip φ40um(銦鎵砷)

    10Gbps InGaAs APD Chip φ40um(銦鎵砷) InGaAs雪崩光電二極管(APD)芯片

    更新時(shí)間:2025-10-29
    產(chǎn)品型號(hào):
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    高性能硒化鉛(PbSe)單通道紅外探測(cè)器(非制冷與制冷型) 硒化鉛(PbSe)單通道紅外探測(cè)器在1至5um光譜范圍內(nèi)進(jìn)行物質(zhì)分析時(shí),能提供性能與特性的z佳平衡。其高靈敏度、快速響應(yīng)時(shí)間以及業(yè)界優(yōu)秀的可靠性相結(jié)合,可確保在任何需要的時(shí)間和場(chǎng)合都能提供穩(wěn)定一致的性能表現(xiàn)。

    更新時(shí)間:2025-11-01
    產(chǎn)品型號(hào):
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