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2.5-6.5um MCT碲鎘汞 中紅外非制冷光電探測器 PVI系列 PVI系列是基于復雜的MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非制冷紅外光電探測器，采用光學浸沒的方式提高器件的性能參數(shù)，使其具有優(yōu)秀的性能和穩(wěn)定性。器件在λ_opt時達到它本身能達到的的最佳性能。起始波長可根據(jù)需求進行優(yōu)化。反向偏置電壓可以在顯著提高響應速度和動態(tài)范圍的同時提高高頻下的性能，但偏置器件中出現(xiàn)的1/f噪聲在低頻下可能會降低探測器的性

3μm MCT 中紅外非制冷光電探測器 2.5-6.5μm HgCdTe PV系列是基于復雜的HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非制冷紅外光電探測器，具有優(yōu)秀的性能和穩(wěn)定性。器件在λ_opt時達到它本身能達到的的佳性能。波長分割可根據(jù)需求進行優(yōu)化。反向偏置電壓可以在顯著提高響應速度和動態(tài)范圍的同時提高高頻下的性能，但偏置器件中出現(xiàn)的1/f噪聲在低頻下可能會降低探測器的性能。

美國EOT InGaAs 銦鎵砷 高速光電探測器：材料：InGaAs 上升／下降時間：＜２５pｓ／＜２５ｐｓ； 響應度：０.６５Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 帶寬：＞１５ＧＨｚ； 有效面積直徑：３２ｕｍ； 輸出連接：ＳＭＡ 光纖連接 FC/UPC,SMF28e

400-1100nm 硅Si光電探測器 帶放大 固定增益（DC-5MHz） 硅(Si) 硅基光電探測器是一種額定帶寬，固定增益的光電探測器，用于檢測光信號。光信號從光電sensor感應面輸入，輸出通過BNC以電壓形式輸出。本產(chǎn)品能測量800nm到1700nm波長范圍的光信號。具體性能參數(shù)數(shù)據(jù)參考附錄表格。LD-PD光電探測器外殼帶有英制1/4“-20螺紋的安裝孔，可以方便的安裝固定。

350～1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測器 我們的硅探測器 ，感光范圍覆蓋190nm~1100nm， 常用于紫外 與可見光測量；放大型探測器，8檔可調(diào)增益 ，定量光電轉(zhuǎn)換；動態(tài)范圍寬 ，適用于各種光電開發(fā)場景 ，應用廣泛；索雷博THORLABS同款 ，無縫兼容；性能優(yōu)秀 ，高性價比 ，quan方位技術支持； 提供非標定制服務。