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產(chǎn)品中心
光電探測(cè)器
product
產(chǎn)品分類美國(guó)EOT InGaAs 銦鎵砷 高速光電探測(cè)器:材料:InGaAs 上升/下降時(shí)間:<28ps/<28ps; 響應(yīng)度:0.9A/W@2000nm; 帶寬:>10GHz; 有效面積直徑:40um; 輸出連接:SMA 光纖連接,FC/UPC
美國(guó)EOT - 硅光電探測(cè)器 118 MHz:材料:Silicon 上升/下降時(shí)間:<3ns/<3ns; 響應(yīng)度:0.56A/W@830nm; 帶寬:>118MHz; 有效面積直徑:2.55mm; 輸出連接:BNC
美國(guó)EOT InGaAs 銦鎵砷光電探測(cè)器 2 GHz:材料:InGaAs 上升/下降時(shí)間:<175ps/<175ps; 響應(yīng)度:0.9A/W@1300nm; 帶寬:>2GHz; 有效面積直徑:100um; 輸出連接:BNC
800-2600nm 高速銦鎵砷PIN光電二極管 3mm TO39密封平面透鏡 靈敏度波長(zhǎng)范圍為800nm ~2600nm 的MTPD260T8-300是一個(gè)高靈敏度和高可靠性的產(chǎn)品系列, 非常適合于光通信設(shè)備??蛻艨梢远ㄖ品庋b形式。
Ge大光敏面鍺光電二極管 800-1800nm 直徑 5mm雙波段光電二極管,它集成了上下緊貼在一起的兩個(gè)光電探測(cè)器(硅基底在上,銦鎵砷基底在下),組合波長(zhǎng)范圍從400到1700 nm。