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InGaAsPD/APD-TIA光電模塊

產(chǎn)品簡介

InGaAsPD/APD-TIA光電模塊特點(diǎn):
● 傳輸速率155Mbps/1.25Gbps/2.5Gbps
● 高靈敏度
● 工作波長范圍:1260~1650nm
● 單電源供電
● 遵循Telcordia Technoligies GR-468-CORE標(biāo)準(zhǔn)
● RoHS認(rèn)證RoHS compliant

產(chǎn)品型號:
更新時(shí)間:2024-12-04
廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
訪問量:1153
詳細(xì)介紹在線留言
品牌其他品牌產(chǎn)地類別進(jìn)口
應(yīng)用領(lǐng)域化工,能源,建材,電子

筱曉光子庫存?zhèn)溆懈鞣N有效面積和封裝的PIN結(jié)二極管(PD),包括銦鎵砷(InGaAs)、磷化鎵(GaP)、硅(Si)和鍺(Ge)光電二極管。

我們有高速硅光電二極管。也有在900到2600 nm的范圍內(nèi)具有高響應(yīng)率,其探測波長超過典型銦鎵砷光電二極管的1800 nm。雙波段光電二極管,它集成了上下緊貼在一起的兩個(gè)光電探測器(硅基底在上,銦鎵砷基底在下),組合波長范圍從400到1700 nm。

為了豐富我們的光電二極管產(chǎn)品線,我們提供已安裝的光電二極管便于客戶供電即用,探測器有效面積邊緣的不均勻性可能引起不必要的電容電阻效應(yīng),從而扭曲光電二極管的時(shí)域響應(yīng)。因此,我們建議使光入射在有效面積中心。為此,可以在探測器前放置聚焦透鏡或者針孔。

產(chǎn)品特點(diǎn)

● 傳輸速率155Mbps/1.25Gbps/2.5Gbps

高靈敏度

工作波長范圍:1260~1650nm

單電源供電

遵循Telcordia Technoligies GR-468-CORE標(biāo)準(zhǔn)

RoHS認(rèn)證RoHS compliant

封裝及尺寸

fz.png

引腳定義

yj.png

引腳編號

引腳功能說明

引出端符號

1

信號正輸出端

Vout+

2

放大器電源

VCC

3

偏置電壓

VAPD

4

信號負(fù)輸出端

Vout-

5

接地

GND (case)


yj1.png


引腳編號

引腳功能說明

引出端符號

1

信號正輸出端

Vout+

2

信號負(fù)輸出端

Vout

3

接地

-GND   (case)

4

放大器電源

VCC


注意事項(xiàng)

a.嚴(yán)格按照引腳說明連接,輸出AC耦合時(shí),差分負(fù)載應(yīng)為100Ω

b. 貯運(yùn)、使用過程中必須采取適當(dāng)?shù)撵o電防護(hù)措施。

c.器件屬于高電壓工作器件,使用時(shí)應(yīng)采取適當(dāng)?shù)脑O(shè)計(jì)和措施避免人體受到傷害。

產(chǎn)品應(yīng)用

● 無源光網(wǎng)絡(luò)與SDH/SONET傳輸系統(tǒng)

吉比特以太網(wǎng)與光纖信道

其它應(yīng)用Other application

訂購信息

型號: IRPD5521Y-□□□□-☆-T-XX

速率□□□□:

0155:155Mbps

1.25:1.25Gbps

2.5:2.5Gbps

探測器類型☆:

A: APD

P: PD

T: TIA

封裝XX:

PG:尾纖

TO:TO封裝

技術(shù)參數(shù)

參數(shù)名稱

符號

測試條件

最小

典型Typ.

最大

單位

TIA工作電流

ICC

Vcc=3.3V

-

44

59

mA

反向擊穿電壓1)

VBR

ID=100μA

35

-

55

V

VBR溫度系數(shù)

σ

γ= dVBR/dTC

-

0.1

0.15

V/℃

差分跨阻

IRPD5521Y-155

IRPD5521Y-1.25

IRPD5521Y-2.5

ZT

Pin=-30dBm, RL=100Ω,

54

26

3.6

-3dB帶寬

IRPD5521Y-155

IRPD5521Y-1.25

IRPD5521Y-2.5

f-3dB

Pin=-30dBm

100

1000

2000

MHz

響應(yīng)度

Re

M=1 , λ = 1.55μm

0.85

0.95

-

A/W

輸出阻抗

ZO

Single ended

-

50

70

Ω

靈敏度

IRPD5521Y-155A

IRPD5521Y-155P

IRPD5521Y-1.25A

IRPD5521Y-1.25P

IRPD5521Y-2.5A

IRPD5521Y-2.5P

PS

λ=1.55μm,NRZ, PRBS=223–1, BER=10-10,

ER=10dB,

V=Vop

-47 -39 -35 -28 -34 -26

dBm

過載功率

APD

PIN

PMAX

-5

+3

-

-

dBm

光回?fù)p

Lo

λ = 1.55μm

-

-

-30

dB

備注:1)僅適用于APD探測器


最大絕對額定值 T=25deg

參數(shù)名稱

符號

額定值

單位

TIA電源電壓

VCC

5

V

APD反向電壓APD

VAPD

VBR

V

APD/PD反向電流

Ir

2

mA

APD/PD正向電流

If

2

mA

工作溫度范圍

TC

-40 ~ +85

貯存溫度范圍

TSTG

-55 ~ +100



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