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產(chǎn)品中心半導體連續(xù)激光器VCSEL激光器ULM850-10-TN-S46FZP850±10nm單模VCSEL激光器
850±10nm單模VCSEL激光器
產(chǎn)品簡介
| 品牌 | 其他品牌 | 價格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 組成要素 | 半導體激光器產(chǎn)品及設備 | 產(chǎn)地類別 | 進口 |
| 應用領域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,化工 |
Philips借經(jīng)過優(yōu)化的光學特性，850 nm 單模 VCSEL 成為高要求傳感系統(tǒng)應用的理想選擇。創(chuàng)新型芯片設計已對高階縱向與橫向模式加以抑制，同時具有線性偏振穩(wěn)定性。
● 內(nèi)部TEC和熱敏電阻
● 2 nm TEC的可調(diào)性
● 高斯型光束輪廓
● 絕對對稱的高斯型光束輪廓顯著簡化應用光學設計。
● 小光束發(fā)散角
● 發(fā)散角的范圍為 20° (1/e2)，可重復再現(xiàn)，方便激光光束傳導。
● 光譜寬度窄
● 憑借光譜寬度通常為 100 MHz 的激光線，此類激光器專為光譜應用而設計。
● 低功率消耗
● 由于功率消耗僅為數(shù)毫瓦，移動應用中可采用電池運行。
● TO46&TEC
● 特定工作條件：激光電流IOP = 2 mA 目標波長 λt = 850 nm @ TOP (由TEC調(diào)節(jié))
產(chǎn)品尺寸
帶TEC管腳配置
不帶TEC管腳定義
單位（mm）
● CPT原子鐘
● 光學相干實驗
參數(shù) | 符號 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | 備注 |
入射波長 | λR | 840 | 850 | 860 | nm | T = 20°C, ITEC = 0, POP= 0.5 mW |
閾值電流 | ITH | 0.50 | mA | T = 20°C | ||
輸出功率 | Popt | 0.50 | mW | T = 0 … 50°C | ||
閾值電壓 | UTH | 1.80 | V | |||
激光電流 | IOP | 2.0 | mA | Popt = 0.5 mW | ||
激光電壓 | UOP | 2.0 | V | Popt = 0.5 mW | ||
電光轉(zhuǎn)換率 | ηWP | 12 | % | Popt = 0.5 mW | ||
斜率效能 | ηS | 0.3 | W/A | T = 20°C | ||
微分串聯(lián)電阻 | RS | 250 | Ω | Popt = 0.5 mW | ||
3dB調(diào)制帶寬 | ν3dB | 0.10 | GHz | Popt = 0.5 mW (由于ESD防護二極管) | ||
相對噪聲強度 | RIN | -130 | -120 | dB/Hz | Popt = 0.3 mW @ 1 GHz | |
波長調(diào)諧電流 | 0.6 | nm/mA | ||||
波長調(diào)諧溫度 | 0.06 | nm/K | ||||
熱電阻 | Rthermal | 3 | 5 | K/mW | ||
邊模式抑制 | 30 | dB | ||||
光束發(fā)散度 | θ | 10 | 25 | ° | Popt = 0.5 mW滿1/e2帶寬 | |
光譜帶寬 | Δν | 100 | MHz | Popt = 0.5 mW | ||
TEC電流 | ITEC | 500 | mA | 需適當散熱器 | ||
NTC熱敏電阻 | 9.5 | 10.0 | 10.5 | kΩ | T= 25°C, | |
NTC溫度依賴性 | 10/exp[3892·(1/298K-1/TOP)] | kΩ | ||||
波長調(diào)諧TEC電流 | 0.008 | nm/mA | TEC電流 < 200 mA | |||
絕對最大值
● 儲存溫度 -40～125°C
● 工作溫度 -20～80°C
● 電功率損耗 5 mW
● 正向激光電流 2 mA
● 反向電流 10 mA
● 焊接溫度* 270C°
● *TEC 溫度必須低于 150°C
光譜圖
高階模式被強烈抑制，光譜帶寬極窄
光束輪廓
單模 VCSEL 的遠場光強分布*符合高斯模式
LIVT 特性曲線
您將受益于較寬溫度范圍內(nèi)的線性性能和低閾值電流
TEC電流調(diào)諧下的溫度/波長
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