超快光電探測器 Alphalas UPD 320-1700nm InGaAs/Si/Ge/GaAs系列自由空間入射超快光電探測器系列適合用于從直流到25GHz的空間光波形的測量?？商峁z測最短為15ps上升時間的光脈沖信號，覆蓋從170至2600nm的光譜范圍

產(chǎn)品型號：UPD-35-UVIR-D

更新時間：2024-12-06

廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商

訪問量：1089

產(chǎn)品咨詢 18602170419

product

產(chǎn)品分類

光電探測器

超快光電探測器/EOT 單光子探測器/計數(shù)器光電倍增管其他光電探測器 Ge鍺光電探測器 Ge鍺光電二極管砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb InP磷化銦光電探測器 Si硅光電探測器 Si硅光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電探測器 MCT碲鎘汞探測器

tel-phone

400-828-1550

查看全部

article

相關(guān)文章

詳細介紹在線留言

品牌	其他品牌	產(chǎn)地類別	進口
應(yīng)用領(lǐng)域	化工,能源,建材,電子

ALPHLAS UPD超快光電探測器 800-1700nm , InGaAs

ALPHLAS UPD系列自由空間入射超快光電探測器系列用于從直流到25GHz的空間光波形的測量?？商峁z測最短為15ps上升時間的光脈沖信號，覆蓋從170至2600nm的光譜范圍。所有探測器都由緊湊堅實的過氧極化鋁外殼封裝，供電方式可以采用電池或外接電源。是可提供從170到1100 nm擴展到紫外光譜范圍高速硅探測器商業(yè)產(chǎn)品。另一種類型的紫外線敏感的InGaAs 探測器，可用于檢測從350到1700納米范圍內(nèi)的激光脈沖，因此具有最寬的光譜范圍和超高的響應(yīng)速度。

的阻抗匹配和*的微波技術(shù)，確保測量的脈沖波形的保真度。用戶可以自由使用50Ω的匹配電阻，進行最高響應(yīng)速度的檢測。或為獲得大的信號響應(yīng)曲線，加入高阻抗負(fù)載。保證了UPD產(chǎn)品為不同的應(yīng)用提供最大的靈活性。結(jié)合BBA系列寬帶高增益放大器，高速光探測器對于取代昂貴和繁瑣的雪崩光電二極管是一個好的選擇。UPD的系列高速光電探測器是激光和光子學(xué)研究的 ALPHLAS UPD超快光電探測器 800-1700nm , InGaAs

的工具。

技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品型號	上升時間ps	帶寬GHz	光譜范圍nm	光敏面積直徑μm/mm2	暗電流nA	輸出接口	材料
UPD-15-IR2-FC	< 15	>25	800-1700	光纖, 9 µm	0.1	SMA	InGaAs
UPD-30-VSG-P	< 30	>10	320-900	200×200 / 0.04	0.1	SMA	GaAs
UPD-35-IR2-P	< 35	>10	800-1700	55 / 0.0024	0.3	SMA	InGaAs
UPD-35-IR2-D	< 35	>10	800-1700	55 / 0.0024	0.3	SMA	InGaAs
UPD-35-IR2-FR	< 35	>10	800-1700	55 / 0.0024	0.3	SMA	InGaAs
UPD-35-IR2-FC	< 35	>10	800-1700	光纖, 9 µm	0.3	SMA	InGaAs
UPD-35-UVIR-P	< 35	>10	350-1700	55 / 0.0024	0.3	SMA	InGaAs
UPD-35-UVIR-D	< 35	>10	350-1700	55 / 0.0024	0.3	SMA	InGaAs
UPD-40-VSI-P	< 40	>8.5	500-1690	200×200 / 0.04	5000	SMA	InGaAs
UPD-40-IR2-P	< 40	>8.5	800-1700	60 / 0.0028	0.5	SMA	InGaAs
UPD-40-IR2-D	< 40	>8.5	800-1700	60 / 0.0028	0.5	SMA	InGaAs
UPD-40-IR2-FR	< 40	>8.5	800-1700	60 / 0.0028	0.5	SMA	InGaAs
UPD-40-IR2-FC	< 40	>8.5	800-1700	光纖, 9 µm	0.5	SMA	InGaAs
UPD-40-UVIR-P	< 40	>8.5	350-1700	60 / 0.0028	0.5	SMA	InGaAs
UPD-40-UVIR-D	< 40	>8.5	350-1700	60 / 0.0028	0.5	SMA	InGaAs
UPD-50-SP	< 50	>7.0	320-1100	100 / 0.0079	0.001	SMA	Si
UPD-50-SD	< 50	>7.0	320-1100	100 / 0.0079	0.001	SMA	Si
UPD-50-UP	< 50	>7.0	170-1100	100 / 0.0079	0.001	SMA	Si
UPD-50-UD	< 50	>7.0	170-1100	100 / 0.0079	0.001	SMA	Si
UPD-70-IR2-P	< 70	>5.0	800-1700	80 / 0.005	0.8	SMA	InGaAs
UPD-70-IR2-D	< 70	>5.0	800-1700	80 / 0.005	0.8	SMA	InGaAs
UPD-70-IR2-FR	< 70	>5.0	800-1700	80 / 0.005	0.8	SMA	InGaAs
UPD-70-IR2-FC	< 70	>5.0	800-1700	光纖, 9 µm	0.8	SMA	InGaAs
UPD-70-UVIR-P	< 70	>5.0	350-1700	80 / 0.005	0.8	SMA	InGaAs
UPD-70-UVIR-D	< 70	>5.0	350-1700	80 / 0.005	0.8	SMA	InGaAs
UPD-100-IR1-P	< 100	>3.0	400-2000	80 / 0.005	700	SMA	Ge
UPD-200-SP	< 175	>2.0	320-1100	400 / 0.126	0.001	BNC	Si
UPD-200-SD	< 175	>2.0	320-1100	400 / 0.126	0.001	BNC	Si
UPD-200-UP	< 175	>2.0	170-1100	400 / 0.126	0.001	BNC	Si
UPD-200-UD	< 175	>2.0	170-1100	400 / 0.126	0.001	BNC	Si
UPD-300-SP	< 300	>1.0	320-1100	600 / 0.283	0.01	BNC	Si
UPD-300-SD	< 300	>1.0	320-1100	600 / 0.283	0.01	BNC	Si
UPD-300-UP	< 300	>1.0	170-1100	600 / 0.283	0.01	BNC	Si
UPD-300-UD	< 300	>1.0	170-1100	600 / 0.283	0.01	BNC	Si
UPD-500-SP	< 500	>0.6	320-1100	800 / 0.5	0.01	BNC	Si
UPD-500-SD	< 500	>0.6	320-1100	800 / 0.5	0.01	BNC	Si
UPD-500-UP	< 500	>0.6	170-1100	800 / 0.5	0.01	BNC	Si
UPD-500-UD	< 500	>0.6	170-1100	800 / 0.5	0.01	BNC	Si
UPD-3N-IR2-P	< 150	>0.4	800-2100	300 / 0.07	90	BNC	InGaAs
UPD-5N-IR2-P	< 200	>0.3	800-2600	300 / 0.07	2000	BNC	InGaAs
UPD-2M-IR2-P	< 75000	>0.004	900-1700	2000 / 3.14	5	BNC	InGaAs
UPD-2M-IR2-P-1TEC	< 75000	>0.004	900-1700	2000 / 3.14	0.3	BNC	InGaAs