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當(dāng)前位置:首頁產(chǎn)品中心光電探測器Si硅光電探測器硅(Si) 硅基光電探測器,帶放大,固定增益 400-1100nm (DC-140MHz)

硅(Si) 硅基光電探測器,帶放大,固定增益 400-1100nm (DC-140MHz)

產(chǎn)品簡介

筱曉(上海)光子技術(shù)有限公司,MCT探測器,半導(dǎo)體激光二極管,中紅外QCL激光器,光纖放大器,光電探測器

產(chǎn)品型號:
更新時間:2024-12-06
廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
訪問量:1146
詳細(xì)介紹在線留言
品牌其他品牌價格區(qū)間面議
組成要素半導(dǎo)體激光器產(chǎn)品及設(shè)備產(chǎn)地類別進(jìn)口
應(yīng)用領(lǐng)域化工,建材,電子

硅(Si) 硅基光電探測器是一種額定帶寬,固定增益的光電探測器,用于檢測光信號。光信號從光電sensor感應(yīng)面輸入,輸出通過BNC以電壓形式輸出。本產(chǎn)品能測量800nm到1700nm波長范圍的光信號。具體性能參數(shù)數(shù)據(jù)參考附錄表格。LD-PD光電探測器外殼帶有英制1/4"-20螺紋的安裝孔,可以方便的安裝固定。 外殼部分還附帶兩種不同尺寸的螺紋接圈,這兩種螺紋接圈分別適合于工業(yè)應(yīng)用和科研應(yīng)用,可以方便適配外部光學(xué)部件,如濾光片,衰減片,鏡頭,F(xiàn)C光纖轉(zhuǎn)接盤等。該產(chǎn)品包含一個塑料防塵蓋。具體安裝請參考閱讀第三章節(jié)。 每個光電探測器都配有一個輸出±9V的直流線性電源,該直流電源的輸入額定電壓為220VAC/50HZ。



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光譜響應(yīng)
400-1100nm
帶寬(Hz)
140 MHz
通用參數(shù)

產(chǎn)品特點:

低噪聲,小于±lmV

過沖小,過沖電壓小于2.5%

增益穩(wěn)定:增益誤差小于1%

暗偏置電壓輸出噪聲:小于ImV (rms)


應(yīng)用領(lǐng)域:

•顯示面板檢測

•LED照明頻閃分析

•玩具燈閃爍頻率及功率測量

•氣體分析


搜狗截圖20220217135438.png



參數(shù)

PN#

PDAM005B-Si

PDAM36A5B6G-SI

PDAM20A6B4G-InGaAs

電器特性




輸入電壓

±9VDC, 60mA

±9VDG 100mA

±9VDC. 100mA

探頭

Silicon PIN

Silicon PIN

InGaAs PIN

感光面

2.65mm * 2.65mm

3.6mm * 3.6mm

Diameters@2 mm

波長

400 nm - 1100 nm

320 nm - 1100 nm

800 nm - 1700 nm

(Optional Extended

(可選擴(kuò)展)   2600nm)

峰值響應(yīng)

0.62A/W @850nm

0.6 A/W @960nm

0.9 A/W@1550nm


43.6mV/uW @850nm

1 mV/nW @960nm

9mV/uW@1550nm

飽和光功率

113pW@ 850nm (Hi-Z)

6uW @960nm (Hi-Z)

660 uW@1550nm (Hi-Z)

帶寬

DC •-5MHz

DC - 200kHz

DC - 5MHz

NEP

7.2 pW/4HZ1/2

2.2 pW/HZ1/2

64.5 pW/HZ1/2

輸出噪聲(RMS)

700 uV

1 mV ?typ

1.3 mV .typ

暗電流偏置(MAX)

±5 mV

±1 mV

±5 mV

上升沿/下降沿(10%—90%)

65 ns

1.7 us

68ns

輸出電壓




Hi-Z

0- SV (Hi-Z)

0-6V (Hi-Z)

0-6V (Hi-Z)

500

0 • 2.5V (50ohm)

0 • 25V (50ohm)

0 • 25V (50ohm)

增益倍數(shù)




Hi-Z

67.5 kV/A

1.68 MV/A

10 kV/A

500

33.8 kV/A

0.84 MV/A

5kV/A

增益精度(typ)

±1%

±1%

±1%

其他參數(shù)





撥動開關(guān)

撥動開關(guān)

撥動開關(guān)

輸出接口

BNC

BNC

BNC

尺寸

53*50*50mm

53*50*50mm

53*50*50mm

重量

150g

150g

150g

操作溫度

10-50deg

10-50deg

10-50deg

存儲溫度

?25°C - 70°C

-25°C - 70°C

-25°C - 70°C

 



硅基光電探測器,帶放大,固定增益,型號參考
目錄波長帶寬上升時間增益RMS噪聲NEP感應(yīng)面積工作溫度電源
Hi-Z 負(fù)載50Ω 負(fù)載
PDA12A8B4G-VIS400 - 1100 nmDC - 140MHz2.5 nS1*10V/A5*103 kV/A850µV .typ2*10-11 W/√HZ1.2mm*1.2 mm10-50℃包含(±9V)
PDA12A7B4G-VIS400 - 1100 nmDC - 50MHz7 nS5*10V/A2.5*104 kV/A800µV .typ6.3*10-12 W/√HZ1.2mm*1.2 mm10-50℃包含(±9V)
PDA25A6B4G-VIS400 - 1100 nmDC - 5MHz68 nS1*10V/A5*104 V/A700µV .typ5.3*10-12 W/√HZ2.5mm*2.5 mm10-50℃包含(±9V)
PDA36A5B6G-VIS320 - 1100 nmDC - 200KHZ1.7 µS1.68*106 V/A8.4*105 V/A1mV .typ2.2*10-12 W/√HZ3.6mm*3.6mm10-50℃包含(±9V)
PDA25A4B8G-VIS400 - 1100 nmDC - 20KHZ18 µS1*10V/A1.5mV .typ1.8*10-13 W/√HZ2.5mm*2.5 mm10-50℃包含(±9V)




光譜靈敏度







交流傳輸特性



外觀及安裝使用




測試案列:

測試光源:

PN:PL-DFB-9672.4-B-A81-PA

SN:DO3431e-q2-Bo2-A19

測試條件:25℃、激光器電流掃描15-23mA,探測器輸出如下圖。


此款探測器在972nm時,探測精度高,微弱光(幾十微瓦)也可以探測到。



尺寸圖




 


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