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當前位置:首頁產(chǎn)品中心光電探測器Si硅光電探測器硅(Si) 硅基光電探測器,帶放大,固定增益 400-1100nm (DC-5MHz)

硅(Si) 硅基光電探測器,帶放大,固定增益 400-1100nm (DC-5MHz)

產(chǎn)品簡介

筱曉(上海)光子技術(shù)有限公司,MCT探測器,半導(dǎo)體激光二極管,中紅外QCL激光器,光纖放大器,光電探測器

產(chǎn)品型號:
更新時間:2024-12-06
廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
訪問量:1322
詳細介紹在線留言
品牌其他品牌價格區(qū)間面議
組成要素半導(dǎo)體激光器產(chǎn)品及設(shè)備產(chǎn)地類別進口
應(yīng)用領(lǐng)域化工,建材,電子

硅(Si) 硅基光電探測器是一種額定帶寬,固定增益的光電探測器,用于檢測光信號。光信號從光電sensor感應(yīng)面輸入,輸出通過BNC以電壓形式輸出。本產(chǎn)品能測量800nm到1700nm波長范圍的光信號。具體性能參數(shù)數(shù)據(jù)參考附錄表格。LD-PD光電探測器外殼帶有英制1/4"-20螺紋的安裝孔,可以方便的安裝固定。 外殼部分還附帶兩種不同尺寸的螺紋接圈,這兩種螺紋接圈分別適合于工業(yè)應(yīng)用和科研應(yīng)用,可以方便適配外部光學部件,如濾光片,衰減片,鏡頭,F(xiàn)C光纖轉(zhuǎn)接盤等。該產(chǎn)品包含一個塑料防塵蓋。具體安裝請參考閱讀第三章節(jié)。 每個光電探測器都配有一個輸出±9V的直流線性電源,該直流電源的輸入額定電壓為220VAC/50HZ。

 

 

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光譜響應(yīng)
400-1100nm
 
帶寬(Hz)
5 MHz
通用參數(shù)

產(chǎn)品特點:

低噪聲,小于±lmV

過沖小,過沖電壓小于2.5%

增益穩(wěn)定:增益誤差小于1%

暗偏置電壓輸出噪聲:小于ImV (rms)

 

應(yīng)用領(lǐng)域:

•顯示面板檢測

•LED照明頻閃分析

•玩具燈閃爍頻率及功率測量

•氣體分析

 

搜狗截圖20220217135438.png

 

 

參數(shù)

PN#

PDAM005B-Si

PDAM36A5B6G-SI

PDAM20A6B4G-InGaAs

電器特性

     

輸入電壓

±9VDC, 60mA

±9VDG 100mA

±9VDC. 100mA

探頭

Silicon PIN

Silicon PIN

InGaAs PIN

感光面

2.65mm * 2.65mm

3.6mm * 3.6mm

Diameters@2 mm

波長

400 nm - 1100 nm

320 nm - 1100 nm

800 nm - 1700 nm

(Optional Extended

(可選擴展)   2600nm)

峰值響應(yīng)

0.62A/W @850nm

0.6 A/W @960nm

0.9 A/W@1550nm

 

43.6mV/uW @850nm

1 mV/nW @960nm

9mV/uW@1550nm

飽和光功率

113pW@ 850nm (Hi-Z)

6uW @960nm (Hi-Z)

660 uW@1550nm (Hi-Z)

帶寬

DC •-5MHz

DC - 200kHz

DC - 5MHz

NEP

7.2 pW/4HZ1/2

2.2 pW/HZ1/2

64.5 pW/HZ1/2

輸出噪聲(RMS)

700 uV

1 mV ?typ

1.3 mV .typ

暗電流偏置(MAX)

±5 mV

±1 mV

±5 mV

上升沿/下降沿(10%—90%)

65 ns

1.7 us

68ns

輸出電壓

     

Hi-Z

0- SV (Hi-Z)

0-6V (Hi-Z)

0-6V (Hi-Z)

500

0 • 2.5V (50ohm)

0 • 25V (50ohm)

0 • 25V (50ohm)

增益倍數(shù)

     

Hi-Z

67.5 kV/A

1.68 MV/A

10 kV/A

500

33.8 kV/A

0.84 MV/A

5kV/A

增益精度(typ)

±1%

±1%

±1%

其他參數(shù)

     
 

撥動開關(guān)

撥動開關(guān)

撥動開關(guān)

輸出接口

BNC

BNC

BNC

尺寸

53*50*50mm

53*50*50mm

53*50*50mm

重量

150g

150g

150g

操作溫度

10-50deg

10-50deg

10-50deg

存儲溫度

?25°C - 70°C

-25°C - 70°C

-25°C - 70°C

 

 

 

硅基光電探測器,帶放大,固定增益,型號參考
目錄 波長 帶寬 上升時間 增益 RMS噪聲 NEP 感應(yīng)面積 工作溫度 電源
Hi-Z 負載 50Ω 負載
PDA12A8B4G-VIS 400 - 1100 nm DC - 140MHz 2.5 nS 1*10V/A 5*103 kV/A 850µV .typ 2*10-11 W/√HZ 1.2mm*1.2 mm 10-50℃ 包含(±9V)
PDA12A7B4G-VIS 400 - 1100 nm DC - 50MHz 7 nS 5*10V/A 2.5*104 kV/A 800µV .typ 6.3*10-12 W/√HZ 1.2mm*1.2 mm 10-50℃ 包含(±9V)
PDA25A6B4G-VIS 400 - 1100 nm DC - 5MHz 68 nS 1*10V/A 5*104 V/A 700µV .typ 5.3*10-12 W/√HZ 2.5mm*2.5 mm 10-50℃ 包含(±9V)
PDA36A5B6G-VIS 320 - 1100 nm DC - 200KHZ 1.7 µS 1.68*106 V/A 8.4*105 V/A 1mV .typ 2.2*10-12 W/√HZ 3.6mm*3.6mm 10-50℃ 包含(±9V)
PDA25A4B8G-VIS 400 - 1100 nm DC - 20KHZ 18 µS 1*10V/A 1.5mV .typ 1.8*10-13 W/√HZ 2.5mm*2.5 mm 10-50℃ 包含(±9V)

 



光譜靈敏度

 

 

 

 

 

 

交流傳輸特性

 

 

外觀及安裝使用



 

測試案列:

測試光源:

PN:PL-DFB-9672.4-B-A81-PA

SN:DO3431e-q2-Bo2-A19

測試條件:25℃、激光器電流掃描15-23mA,探測器輸出如下圖。

 

此款探測器在972nm時,探測精度高,微弱光(幾十微瓦)也可以探測到。

 

 

尺寸圖

 

 

 

 

 

 

 

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