Si(硅)光電平衡探測(cè)器 400~1100nm 100MHz：工作波長(zhǎng)400~1100nm 帶寬100MHz 探測(cè)器型號(hào): si硅 探測(cè)器響應(yīng)度 0.55@850nm
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產(chǎn)品中心
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產(chǎn)品分類400-828-1550
Si(硅)光電平衡探測(cè)器 400~1100nm 100MHz：工作波長(zhǎng)400~1100nm 帶寬100MHz 探測(cè)器型號(hào): si硅 探測(cè)器響應(yīng)度 0.55@850nm
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美國(guó)EOT InGaAs 銦鎵砷 高速光電探測(cè)器：材料：InGaAs 上升／下降時(shí)間：＜２５pｓ／＜２５ｐｓ； 響應(yīng)度：０.６５Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 帶寬：＞１５ＧＨｚ； 有效面積直徑：３２ｕｍ； ...
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美國(guó)EOT InGaAs 銦鎵砷 高速光電探測(cè)器：材料：InGaAs 上升／下降時(shí)間：＜２８pｓ／＜２８ｐｓ； 響應(yīng)度：0.9Ａ／Ｗ＠２０００ｎｍ； 帶寬：＞１０ＧＨｚ； 有效面積直徑：４０ｕｍ； 輸...
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美國(guó)EOT - 硅光電探測(cè)器 118 MHz：材料：Silicon 上升／下降時(shí)間：＜３ｎｓ／＜３ｎｓ； 響應(yīng)度：０．５６Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ； 帶寬：＞１１８ＭＨｚ； 有效面積直徑：２．５５ｍｍ； 輸...
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美國(guó)EOT InGaAs 銦鎵砷光電探測(cè)器 2 GHz：材料：InGaAs 上升／下降時(shí)間：＜１７５pｓ／＜１７５ｐｓ； 響應(yīng)度：０.９Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 帶寬：＞２ＧＨｚ； 有效面積直徑：１０...
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