熱門搜索：
P760/01_2760nm單模垂直腔面發(fā)射激光器
VCSEL-20-M激光控制驅(qū)動(dòng)器
ZNSP25.4-1IR拋光硫化鋅(ZnS)多光譜(透明)窗片 0.37-13.5um 25.4X1.0mm（晶體/棱鏡
HB-C0BFAS0832x4 QPSK C波段相干混頻器（信號(hào)解調(diào)/鎖相放大器等）
Frequad-W-CW DUV 單頻連續(xù)激光器 213nm 10mW Frequad-W
ER40-6/125截止波長(zhǎng)1300nm 高摻雜EDF摻鉺光纖
SNA-4-FC-UPC日本精工法蘭FC/UPC（連接器/光纖束/光纜）
GD5210Y-2-2-TO46905nm 硅雪崩光電二極管 400-1100nm
WISTSense Point 緊湊型高精度光纖傳感器解調(diào)儀（信號(hào)解調(diào)/鎖相放大器等）
CO2激光光譜分析儀
1030nm超短脈沖種子激光器PS-PSL-1030
FLEX-BF裸光纖研磨機(jī)
高能激光光譜光束組合的光柵 （色散勻化片）
NANOFIBER-400-9-SA干涉型單模微納光纖傳感器 1270-2000nm
IRV2000-1X350-2000nm 1倍紅外觀察鏡
S+C+L波段 160nm可調(diào)諧帶通濾波器
當(dāng)前位置：首頁(yè)
產(chǎn)品中心光電探測(cè)器InGaAs銦鎵砷光電二極管
product
產(chǎn)品分類
50Gbps56Gbaud APD Chip（銦鎵砷） InGaAs雪崩光電二極管（APD）芯片
更新時(shí)間：2025-10-29
產(chǎn)品型號(hào)：
瀏覽量：1465
10Gbps InGaAs APD Chip φ40um（銦鎵砷） InGaAs雪崩光電二極管（APD）芯片
更新時(shí)間：2025-10-29產(chǎn)品型號(hào)：瀏覽量：1222
900-1800nm InGaAs超大光敏面PIN光電二極管 筱曉光子庫(kù)存?zhèn)溆懈鞣N有效面積和封裝的PIN結(jié)二極管(PD)，包括銦鎵砷(InGaAs)、磷化鎵(GaP)、硅(Si)和鍺(Ge)光電二極管。 我們有高速硅光電二極管。也有在900到2600 nm的范圍內(nèi)具有高響應(yīng)率，其探測(cè)波長(zhǎng)超過(guò)典型銦鎵砷光電二極管的1800 nm。雙波段光電二極管，它集成了上下緊貼在一起的兩個(gè)光電探測(cè)器(硅基底在上
更新時(shí)間：2025-09-01產(chǎn)品型號(hào)：IRD-IGS-10瀏覽量：1616
900-2700nm InGaAs光電二極管 兩級(jí)TEC冷卻 Φ2mm GESTIN-2TE-TO8系列單元InGaAs探測(cè)器主要由P-I-N結(jié)構(gòu)InGaAs光敏芯片、過(guò)渡電極板、溫度傳感器和兩級(jí)熱電冷卻器（2TE）組成，采用TO封裝形式。本用戶手冊(cè)僅介紹產(chǎn)品系列。
更新時(shí)間：2025-09-01產(chǎn)品型號(hào)：GESTIN-2TE-TO8-2000瀏覽量：1863
900-2700nm InGaAs光電二極管 兩級(jí)TEC冷卻 Φ0.3mm GESTIN-2TE-TO8系列單元InGaAs探測(cè)器主要由P-I-N結(jié)構(gòu)InGaAs光敏芯片、過(guò)渡電極板、溫度傳感器和兩級(jí)熱電冷卻器（2TE）組成，采用TO封裝形式。本用戶手冊(cè)僅介紹產(chǎn)品系列。
更新時(shí)間：2025-09-01產(chǎn)品型號(hào)：GESTIN-2TE-TO8-0300瀏覽量：1819